Przełomowe pamięci GDDR4

Przeczytaj także: Szybka pamięć Sharpa

Przy projektowaniu nowej pamięci firma zastosowała technologie DBI (Inwersja Szyny Danych) oraz Multi-Preamble, które pomogły wyeliminować opóźnienia w transmisji danych. Rezultatem jest wzrost prędkości o 56% w stosunku do aktualnie obecnych na rynku graficznym kości pamięci GDDR3.

Wyglądem układy GDDR4 są bardzo zbliżone do swoich poprzedników, co będzie dużym ułatwieniem dla producentów kart i systemów graficznych w integracji nowego układu ze swoimi produktami.

Jeszcze przed końcem tego roku, Samsung planuje przedstawić próbną partię kości GDDR4, o szybkości transferu 2,8 Gbit/s, zaś ich masowa produkcja ma ruszyć w drugim kwartale przyszłego roku.