Szybsze pamięci Hynix
2005-12-07 00:01
Firma Hynix Semiconductor zaprezentowała nowe kości pamięci GDDR4 DRAM o pojemności 512Mb, które mogą pracować z prędkością 2,9 Gbit/s. Producent zapowiedział start masowej produkcji nowych pamięci z początkiem przyszłego roku.
Przeczytaj także: Przełomowe pamięci GDDR4
Nowa generacja pamięci graficznych GDDR4 jest dwa razy szybsza od produktów GDDR3, dzięki czemu idealnie nadają się one do 64-bitowych systemów komputerowych, które przetwarzają duże ilości danych.Konkurencyjna firma Samsung Electronix zaprezentowała w październiku kości pamięci GDDR4 o pojemności 256Mbit. Masowa produkcja tych układów ma ruszyć w połowie przyszłego roku.
Przeczytaj także:
![TRANSCEND: nowe moduły pamięci]( "TRANSCEND: nowe moduły pamięci")
TRANSCEND: nowe moduły pamięci
TRANSCEND: nowe moduły pamięci
![Wynajem mieszkania za drogi dla Polaka? [© Freepik]](https://s3.egospodarka.pl/grafika2/wynajem-mieszkania/Wynajem-mieszkania-za-drogi-dla-Polaka-262933-50x33crop.jpg "Wynajem mieszkania za drogi dla Polaka? [© Freepik]")
Wynajem mieszkania za drogi dla Polaka?
