IBM łączy technologie

Przeczytaj także: Wspólne testy na dyskach

Połączenie na jednej płytce "rozciągniętego" krzemu z technologią krzem na izolatorze (silicon on insulator) wydawało się nieuchronne, jednak wytworzenie układów łączących te rozwiązania nastręczało poważnych problemów technologicznych. Pierwsze rozwiązanie sprawia, że elektrony w krzemie przemieszczają się szybciej, drugie - redukuje straty energii. Dzięki temu wydajność nowych chipów może wzrosnąć o 20-30% w stosunku do produkowanych obecnie układów.

IBM na krzemowej płytce umieszcza warstwę stopu krzemu i germanu (SiGe), następnie warstwę rozciągniętego krzemu, a później - izolator. Później płytka zostaje odwrócona i warstwa SiGe - która jest niezbędna do rozciągania krzemu, ale później sprawia trudności, gdyż może interferować z izolatorem - zostaje odparowana. Tranzystory zostają zbudowane na rozciągniętym krzemie (który po odwróceniu płytki jest na wierzchu).

Jedną z zalet nowej technologii jest możliwość umieszczania w jednej warstwie dwóch głównych typów tranzystorów polowych - typu p i typu n. Obecnie muszą się one znajdować na osobnych warstwach. Może to prowadzić do zdecydowanego wzrostu wydajności układu.

Jak do tej pory nowa technika funkcjonuje wyłącznie w warunkach laboratoryjnych. Zanim trafi do fabryk i masowej produkcji minie zapewne kilka lat, ale to kolejny krok w walce o zwiększanie wydajności przyszłych komputerów.