FeRAM - następca układów Flash?

Przeczytaj także: Tani handheld Toshiby

Układy FeRAM mogą już wkrótce zastąpić pamięci Flash. Produkty obu technologii oferują niezawodną pamięć, przechowującą dane także po odłączeniu zasilania. Jedną z zalet FeRAMu jest większa prędkość pracy. Pamięci Toshiby i Infineona posiadają czas dostępu rzędu 50 nanosekund i czas cyklu - 75 nanosekund. Wartości te w porównaniu do parametrów czasowych kości SDRAM nie robią wrażenia, ale są znacznie mniejsze niż w przypadku pamięci Flash, w których wynik 200 mikrosekund uznawany jest za dobry.

Drugą zaletą, o której poinformowali współtwórcy pamięci FeRAM, jest mniejsze zużycie energii. Oszczędność wynika z faktu, że FeRAM nie wymaga dodatkowego źródła energii do zapisania nowych danych, co ma miejsce w przypadku pamięci Flash. Mała energochłonność to cecha czyniąca FeRAM idealnym rozwiązaniem dla urządzeń przenośnych.

Nowe pamięci wykorzystują własności kryształów ferroelektrycznych, w których pod wpływem przyłożonego pola elektrycznego zachodzą zmiany w strukturze krystalicznej.