Nowy tranzystor Intela

Przeczytaj także: Nanorurki bezkonkurencyjne

Naukowcy z firm Intel oraz QinetiQ zademonstrowali tranzystor typu enhancement-mode wykorzystujący antymonek indu (symbol chemiczny InSb). Tranzystory kontrolują przepływ informacji/impulsów elektrycznych wewnątrz układu. Zademonstrowany prototyp tranzystora jest szybki i energooszczędny. Intel zamierza wykorzystać nowy materiał do produkcji układów krzemowych, co umożliwi dalszy rozwój branży zgodnie z Prawem Moore’a.

„Rezultaty badań wzmacniają naszą wiarę w możliwość dalszego rozwoju branży zgodnie z Prawem Moore’a po roku 2015. Oczekujemy, że nowe materiały w połączeniu z kolejnymi innowacjami Intela umożliwią w przyszłości produkcję doskonalszych półprzewodników” – powiedział Ken David, dyrektor badań nad komponentami w Technology and Manufacturing Group Intela.

„Nowy materiał, zapewniając 50-procentowy wzrost wydajności przy jednoczesnym 10-krotnym zmniejszeniu zapotrzebowania na energię, umożliwi optymalizację przyszłych platform pod kątem wydajności oraz energooszczędności”.

Demonstracja prototypowych tranzystorów nowej generacji, których bramki mają długość 85nm., była pierwszym pokazem działania tranzystorów typu „enhancement mode”. Tego typu tranzystory mogą być zasilane prądem o napięciu 0,5 volta, co znacznie zmniejsza zapotrzebowanie na energię całego układu. Dla porównania – tranzystory stosowane we współczesnych układach potrzebują dwukrotnie większego napięcia.